简介： 本发明涉及一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法，包括步骤：对单片集成电路进行外观质量检查，并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品；对外检合格品进行电参数测量，并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品；对终检合格品进行可靠性特征分析，得到预测贮存寿命。通过对单片集成电路进行外观质量检查和电参数测量，选出功能未失效的合格品，并通过对合格品进行可靠性特征分析，得到集成电路的预测贮存寿命，从而可以估测导弹的贮存寿命，解决了对单片集成电路的贮存寿命特征的检测的问题。