简介： 本发明提供一种具有微影光阻检测图案的光刻及其检测方法,其利用形成于光刻上的四个检测图案来对第一层光阻的曝光情况进行光刻置放判断,其克服了传统程中需要完成第一层与第二层微影光阻图案化后才能对第一光刻置放进行校对的缺陷,进而避免制程成本上的浪费,且根据检测图案的图形的扭曲位置可提供工程师获得更多制程失效的相关信息。