简介： 本发明涉及集成电路的电子显微学表征技术领域，且公开了一种同步采集分析集成电路结构和成分信息的高分辨方法，包括以下步骤：一、利用样品减薄设备对集成电路进行切割减薄，制备成薄区厚度为50nm的薄片；二、将上述制成的薄片镶嵌于透射电镜载网上；三、使用高分辨透射电子显微镜的扫描透射电子成像(STEM)功能，对集成电路中的被选择区域进行观察。本方案利用样品减薄设备将集成电路中的被选择区域制备为适宜透射电子显微镜观察的薄片样品，将此样品在高分辨透射电镜下同步进行高分辨级别的STEM成像与EDS/EELS采集，分析和区分集成电路各功能区域及其之间的界面等区域内的结构和成分分布信息，从而分析集成电路材料与器件构效关系和失效原因。