简介： 本发明公开了一种倒装芯片的电迁移可靠性有限元分析方法，通过对倒装芯片进行建模、网格划分并添加边界条件，进行电热耦合分析和结构分析，模拟不同的电流大小、材料种类以及铜迹线的结构对温度分布、电流密度分布、焦耳热分布以及应力分布进行分析，将仿真结果代入布莱克方程得到结构的平均失效时间，能够准确得到热点位置和易发生失效的位置，能更直观的发现电迁移失效寿命的影响因素和规律，为后续提高可靠性的方案提供了改进方向。