简介： 本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种缺陷分析方法，通过在去除待测半导体结构的金属结构之后，于阻挡层上沉积一层与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，之后再进行常规的透射电镜样品制备，并采用透射电镜对透射电镜样品进行观察以对阻挡层进行缺陷分析，由于阻挡层上覆盖有与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，从而在透射电镜中能够清晰的观察阻挡层的缺陷，进而准确的进行缺陷分析；因此本发明这种主动提高透射电镜图像衬度分析微小缺陷的方法，可以进一步的扩展微小缺陷失效分析的能力，进而为制程工艺提供更好的技术支持。