简介： 本发明提供了接触孔失效评估方法,包括:提供评估晶圆,在所述评估晶圆上形成评估器件图形,所述评估器件图形包括第一器件区以及第二器件区;其中,第二器件区与PMOS晶体管的结构以及尺寸相同;第一器件区与NMOS晶体管相比,区别在于对应NMOS晶体管的P阱具有不同的掺杂类型,使得在进行电子束扫描时,第一器件区中N型掺杂的有源区的导电能力强于NMOS晶体管的源/漏极;在所述评估晶圆上进行与产品晶圆相同的接触孔形成工艺;采用电子束扫描评估晶圆的表面,并获取晶圆表面各处的扫描亮度;本发明在电子束扫描接触孔时,形成较亮光斑,从而易于与周围区域区分开,有效避免了机台对失效接触孔的漏检或错检。