简介： 本申请公开了一种半导体器件中失效点的定位方法，涉及半导体制造领域。该半导体器件中失效点的定位方法包括确定半导体器件中发生桥接的两个膜层，两个膜层的材料相同；在第一膜层的起始端与第二膜层之间加第一电压，在第一膜层的末端与第二膜层之间加第二电压；获取第一膜层的起始端与第二膜层之间的电流，记为第一电流，以及，获取第一膜层的末端与第二膜层之间的电流，记为第二电流；根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定第一膜层中失效点的位置；解决了目前失效分析中不能通过FIB机台做VC方法定位出失效点的问题；达到了简便有效地定位失效点的效果。