简介： 本发明公开了一种三维存储器失效样品制备方法，属于集成电路的失效分析领域，一种三维存储器失效样品制备方法，包括以下步骤：步骤一、将芯片表面金属层去除；步骤二、将去除金属层的芯片置于机械研磨设备的样品台上；步骤三、调整样品台位置，使芯片目标分析区位于微抛光磨头的正下方；步骤四、调整微抛光磨头的位置，使其接触芯片表面，微抛光磨头与芯片表面接触角为45度；步骤五、设定微抛光磨头移动距离，然后开启微抛光磨头旋转。本发明，通过结合高精度机械研磨和聚焦离子束，实现弧形侧壁结构，在垂直视角下即可对三维堆叠层数进行准确计数，比较垂直侧壁结构，能够更快速及准确的找到失效位置，提高分析效率和准确度。