简介： 本发明提供了一种失效的定位方法，用于定位按阵列排布的晶体管单元中栅极与有源区之间漏电的缺陷单元，上述定位方法包括：测量连接有源区的第一金属线和连接栅极的第二金属线之间的电阻，通过电阻比例确定上述缺陷单元所在的第一区域；使各个有源区接触孔和各个栅极接触孔相互电气隔离；短接第一区域中的各个栅极接触孔；以及对第一区域中的多列晶体管单元执行主动电压衬度分析，通过对比电压衬度图像，从第一区域中定位缺陷单元。通过本发明所提供的定位方法，能够从按阵列排布的众多晶体管单元中准确地找到nA级别的漏电缺陷所在的晶体管单元。有助于基于上述缺陷调整工艺，提高半导体器件的良率。