简介： 公开了一种芯片的失效点定位方法，其去除芯片的边缘结构，以在芯片的截面上暴露出多个金属层的部分，通过暴露的金属层向芯片提供电流，并通过EBAC(E‑Beam Absorbance Current，电子束吸收电流)技术获得芯片的截面在电流驱动下的截面图像，根据该截面图像的明暗区交界处位置可直接定位获得失效点的深度位置，无需多次去层芯片，逐步暴露不同深度的底层金属进行多次测试，有效提升了失效点的深度位置的分析测试速度，为芯片研发提供了便利。