简介： 本发明公开了一种快速定位集成电路失效位置的方法，包括：步骤S1，导通集成电路中的任意一个包含PN结的器件，并对所述集成电路失效点施加测试信号；步骤S2，使用热发射显微镜从正面和背面分别获取所述PN结和所述失效点的深度信息；步骤S3，通过比较所述PN结和所述失效点的深度信息来判断所述失效点的失效位置。能够快速定位失效位置是在芯片内部还是在封装上，提高失效分析的效率。