简介： 本发明公开了一种避免烧伤的功率半导体芯片失效定位方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：将芯片置于难燃液体中；通过源表为芯片提供预定电压或预定电流；通过微光显微镜探测芯片的失效位置。解决了芯片的保护层损伤处或原始失效位置在加载电压后产生烧痕，导致后续失效分析增加难度的问题，达到了保持原始失效位置的形貌，避免在原始失效位置及有缺陷的保护结构处产生额外的烧痕的效果。