简介： 本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，通过设置渗透坑内铝元素含量，形成不同失效短路过程的材料属性变化；压接式IGBT器件多物理场建模，建立压接式IGBT器件几何模型，基于不同失效短路过程的材料属性变化，循环仿真模拟在不同失效短路过程中电阻、热阻变化规律。本发明实现了压接式IGBT器件失效短路过程有限元建模分析，通过考虑渗透坑的失效短路等效模型，模拟了压接式IGBT器件在发生失效短路过程中特征参数的变化，可以为压接式IGBT器件失效短路状态监测提供基础。