简介： 本发明提供一种对Flash器件失效定位的方法，提供多个存储单元；对多个存储单元分别在同一状态下进行电流量测，得到所有存储单元的电流值；按多个存储单元所在的位置与各存储单元对应的电流值绘制为电流随存储单元位置分布的趋势图；根据趋势图找出失效的存储单元。本发明的方法根据bit cell电流分布趋势来对Flash进行失效定位，制成图表，找到趋势上电流表现最差的bit，有利于对后续的失效分析预测做出判断。