简介： 本发明公开了一种用于多晶硅层的失效点定位的方法，包括：提供样品；将所述样品进行去层处理至多晶硅层上的层间介质层；对所述样品的表面进行清洁处理；利用电势对比定位法对所述样品进行多晶硅层的失效点定位。本发明由于保留了一定厚度的多晶硅层上的层间介质层，所以避免了对多晶硅层的损伤；由于采用了超声波震荡方法在离子水中对样品表面进行清洁，所以避免了清洁过程中对样品表面的损伤；由于采用了较大的一次电子束的加速电压进行电势对比观测，所以能够快速的定位多晶硅层的失效点。本发明的方法适用于大尺寸多晶硅阵列的失效点定位，可快速地在扫描结果中准确地找到失效点的位置，节省了芯片失效分析的时间，提高了分析效率。