简介： 本发明公开的一种栅氧化层失效点的定位方法，通过于去除金属层后，采用中高加速电压形成的电子束扫描去除金属层后待测半导体结构得到一具有失效点图形电镜图，并根据该电镜图确定失效点在栅氧化层中的位置，从而能够更精确的定位栅氧化层的击穿点，进而有效的提高了栅氧化层击穿电压测试失效分析的成功率，进一步缩短了后续透射电镜样品的制备时间，提高了栅氧化层击穿电压测试失效分析的效率，给需要精确定位的透射电镜样品的制备提供了必要的条件，且在无法使用光学定位机台时，仍然可以精确定位栅氧化层的击穿点以及栅氧化层的失效分析。