简介： 本发明公开了一种无阻挡层金属层功率器件I_GSS失效点定位方法，包含：第一步，将失效硅片样品正面使用保护层保护，第二步，利用药液去除背面金属；第三步，使用药液除去保护层；第四步，除去失效管芯之外的其他无关区域；第五步，打线，将栅极与源极引出；第六步，在样品背面涂上一层有机层；第七步，对需要测试的失效管芯，利用测试机台进行测试抓点；第八步，利用机台打打标点，确认失效点在样品的相对位置，进一步根据OM的相对位置，利用FIB位移功能确认精确的相对位置；第九步，再把样品正面朝上，FIB机台位移至失效点的区域；第十步，针对确认的失效点进行后续FIB结构分析。针对无阻挡层金属层的功率器件，准确有效地定位I_GSS失效点的位置。