简介： 本实用新型提供一种识别超低k介质TDDB失效模式的测试结构，包括：TDDB测试结构，包括间隔且并排设置的第一TDDB测试结构、第二TDDB测试结构和第三TDDB测试结构；大块源区域，对称位于第二TDDB测试结构的两侧，适于提供铜离子源或水汽源；其中，所述水汽源的外周设有环状的隔水结构，且所述隔水结构面对所述第二TDDB测试结构的一侧均设有开口；伪栅结构，分别位于大块源区域与第一TDDB测试结构之间以及大块源区域与第三TDDB测试结构之间，适于隔离各个TDDB测试结构，使其独立工作。本实用新型可同时识别铜离子扩散模式和水分渗透模式的超低k介质TDDB失效问题，利于排除故障，节约时间；所述测试结构适于电容测试、斜坡电压测试、TDDB测试以及漏电流测试。