简介： 本发明提出一种电迁移失效的剩余寿命预测方法，包括步骤：建立MOS器件的电迁移寿命模型；根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度，以及电迁移寿命模型，获取正常电迁移失效的寿命T1；根据目标预兆点T2和第二环境温度，以及电迁移寿命模型，获取电流密度应力；将电流密度应力输入基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路；若基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路经过时间T3后输出高电平，则根据T1、T2以及T3，获取对应T2的电迁移失效的剩余寿命。本发明还提出一种电迁移失效的剩余寿命预测装置，可以提高预测MOS器件电迁移失效剩余寿命的可靠性，提高预测效率，降低成本。