简介:
本发明公开了一种监测器件的低工作电压失效的测试方法,涉及半导体领域。该方法为:建立多个测试结构,所有的所述测试结构的结构均相同;在每个所述测试结构上均放置有宽度不同的遮盖板;对所有的所述测试结构进行离子掺杂,被遮盖板覆盖的区域不能进行离子掺杂,能进行离子掺杂的区域为所述测试结构的工作区间;同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压,根据测试结果获取所述测试结构所对应的工作区间是否存在是失效,从而获取器件的低工作电压是否失效。该方法能够快速确认低工作电压是否存在失效现象;批量快速找出制程在该类问题的工作区间,缩短了制程开发周期,有效节约了开发成本。
本发明公开了一种监测器件的低工作电压失效的测试方法,涉及半导体领域。该方法为:建立多个测试结构,所有的所述测试结构的结构均相同;在每个所述测试结构上均放置有宽度不同的遮盖板;对所有的所述测试结构进行离子掺杂,被遮盖板覆盖的区域不能进行离子掺杂,能进行离子掺杂的区域为所述测试结构的工作区间;同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压,根据测试结果获取所述测试结构所对应的工作区间是否存在是失效,从而获取器件的低工作电压是否失效。该方法能够快速确认低工作电压是否存在失效现象;批量快速找出制程在该类问题的工作区间,缩短了制程开发周期,有效节约了开发成本。