简介： 本发明提供的一种监测SRAM存储区通孔对准失效的测试结构，包括第一测试单元和/第二测试单元；所述第一测试单元用于测试SRAM存储区的通孔是否发生横向漂移；以及所述第二测试单元用于测试SRAM存储区的通孔是否发生纵向漂移。本发明通过第一测试单元判断出通孔是否发生横向漂移，可以检测SRAM存储区的通孔中形成的钨插塞是否连通了上层金属层和下层金属层，和/或，通过第二测试单元可以判断出通孔是否发生纵向漂移，可以检测SRAM存储区的通孔中形成的钨插塞是否连通了上层金属层和下层金属层，从而监测SRAM存储区通孔是否对准失效。