简介： 该发明公开了一种三维存储器的确定失效沟道孔的方法及测试样品，所述方法包括：提供一具有失效沟道孔的失效芯片；确定漏电的失效字线层，对位于所述失效字线层两侧的所述失效芯片进行减薄，以制备测试样品；对测试样品的沟道孔进行电压衬度分析以找出具有异常电压衬度的沟道孔，确定失效沟道孔，根据本发明实施例的三维存储器的确定失效沟道孔的方法，能够准确快速地检测到失效沟道孔，且能够准确检测到轻微漏电和较小缺陷的失效沟道孔，从而能够及时有效地找出失效原因，以提高产品成功率。