简介： 本发明公开了一种原子尺度下动态观测III‑V族场效应晶体管栅介质失效的方法，所述III‑V族是指具有高迁移率材料铟砷化镓。所述方法包括：制备适用于透射电子显微镜的样品和纳米钨探针；将所制得的样品搭载在专用铜网上，将原位样品杆放入透射电子显微镜中；将纳米钨探针与样品栅极接触；然后在纳米钨探针和铜网之间加恒定电场；操作透射电镜实时动态地观测样品形貌和电流变化过程；通过能谱进行局域化学元素分析，与未损坏之前的样品的能谱信息做比较，分析失效原因。本发明能够对器件失效的过程定点定量进行分析，找到失效的位置、状态和其变化过程，分析器件的失效机理，得到解决措施。原位透射电镜的方法无损，实时，有高分辨率，比其他光谱检测先进。