简介： 本实用新型揭示了一种失效检测结构。所述失效检测结构包括：形成于半导体基底上的参考部分和检测部分；所述参考部分和检测部分皆包括位于所述半导体基底上的第一辅助金属、覆盖所述半导体基底和第一辅助金属的介质层、位于所述介质层上的中央金属和围绕所述中央金属的第二辅助金属、以及位于所述中央金属上的插塞，所述第二辅助金属与所述中央金属之间具有一沟槽；所述参考部分中插塞与中央金属的边缘的距离大于所述检测部分中插塞与中央金属的边缘的距离。通过比较参考部分和检测部分相应的漏电流，能够判断出缺陷类型，并得到较为精确的缺陷数据。本实用新型降低了检测成本，提高了检测效率。