简介： 一种半导体器件电性失效的检测方法，包括：步骤S1：灰阶收集；a、以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，通过程式设定为缺陷而被检测，并拍摄电子显微镜图谱；b、以半导体器件作为扫描对象，并在不同条件下扫描，进行灰阶分析；步骤S2：扫描条件筛选，进行电性测试；获得相似度数值；定义最优扫描条件；步骤S3：进行定点灰阶分析，获得电性有效的灰阶收集数据区间；步骤S4：电性失效区域预报。本发明通过电子束缺陷扫描仪所获得的灰阶收集数据与所述电性测试数据进行比较，可有效的预报电性失效区域和电性有效区域，为监测离子注入工艺优劣提供依据，并为即将采取的改善措施提供技术支持，为缩短半导体器件的研发周期提供有力的保障。