简介： 本发明提供了一种GOI失效点的检测方法，包括：提供待测样品，待测样品包括衬底，衬底的表层包括多个浅沟槽隔离层及由浅沟槽隔离层隔离的多个实体部；覆盖表层的栅氧化层；位于栅氧化层背离衬底一侧的半导体层；及位于半导体层背离衬底一侧的金属连线层；将衬底背离栅氧化层一侧减薄，直至裸露浅沟槽隔离层；采用电子束照射衬底的裸露所述浅沟槽隔离层的一侧，并基于电压衬度分析法检测待测样品的GOI失效点。将衬底进行减薄直至裸露实体部，从而获取衬底裸露实体部一侧的电压衬度图像；由于无任何结构层对该实体部背离栅氧化层一侧进行遮挡，使得获取的电压衬度图像更加精确，进而保证基于电压衬度分析法对GOI失效点的检测更加精确。