简介： 本发明公开了一种对LED芯片表征进行失效检测的方法，包括如下步骤：透过环氧树脂透镜观察检测未开封LED芯片上的失效情况；在分析出LED芯片表面有LED芯片裂纹、烧毁腐蚀情况时，基于扫描电子显微镜SEM扫描LED芯片裂纹、烧毁腐蚀情况，并基于失效部位输出形状、尺寸、大小、结构、颜色信息；基于二次离子质谱分析SIMS对LED芯片表面失效部分成分的污染成分进行分析，获取芯片制造和装备过程中附着的污染物和离子残留物所具有的成分；对LED芯片进行断面分析。通过本发明实施例，针对开封前、开封后以及断面整体性分析，可以针对LED芯片失效得出一个全面分析的结果数据。