简介:
本实用新型涉及技术领域,且公开了一种多MOS并联失效的检测电路及设备,包括NMOS低端保护电路以及PMOS高端保护电路,所述NMOS低端保护电路上电连接有NMOS低端检测电路,所述PMOS高端保护电路上电连接有PMOS高端检测电路,所述NMOS低端保护电路包括第一运算放大器U1A、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻Rf以及电阻RF,所述PMOS高端保护电路包括第二运算放大器U1B、电阻R1a、电阻R2a、电阻R3a、电阻Rf1以及电阻RF1,还包括一种多MOS并联失效的检测设备,该设备包括上述的多MOS并联失效的检测电路。本实用新型能够对多并串保护板中的并联的所有MOS管进行实时的检测,并能够将检测到的信息通过LED灯实时显示出来,有效提高保护板的产品质量。
本实用新型涉及技术领域,且公开了一种多MOS并联失效的检测电路及设备,包括NMOS低端保护电路以及PMOS高端保护电路,所述NMOS低端保护电路上电连接有NMOS低端检测电路,所述PMOS高端保护电路上电连接有PMOS高端检测电路,所述NMOS低端保护电路包括第一运算放大器U1A、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻Rf以及电阻RF,所述PMOS高端保护电路包括第二运算放大器U1B、电阻R1a、电阻R2a、电阻R3a、电阻Rf1以及电阻RF1,还包括一种多MOS并联失效的检测设备,该设备包括上述的多MOS并联失效的检测电路。本实用新型能够对多并串保护板中的并联的所有MOS管进行实时的检测,并能够将检测到的信息通过LED灯实时显示出来,有效提高保护板的产品质量。