简介： 本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。