简介： 本发明提供了一种缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法，所述缺陷样品的制备方法包括：提供一具有待分析缺陷的半导体结构；在互连结构中形成一标记，标记与待分析缺陷间隔设置；研磨互连结构获得缺陷样品，其中，标记周围的互连结构在研磨过程中沿标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察根据分层状况判断互连结构的剩余层数以实现研磨过程的定位。本发明中，通过在待分析缺陷周围形成标记，且标记的侧壁暴露互连结构，利用研磨过程中对标记的侧壁的研磨程度的差异使得标记附近的互连结构出现分层状况，通过该分层状况以对该研磨过程实现准确定位，从而实现简便且高效的制备缺陷样品。