简介： 本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法，包括：确定失效点所在的热点区域；确认存在漏电的字线；对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。