简介： 一种暴露半导体衬底的方法和失效分析方法,所述暴露半导体衬底的方法包括:提供半导体样品,所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层;用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层,所述化学溶液为缓冲氧化蚀刻溶液或氢氟酸;用超声波振荡去除所述半导体多晶层,暴露出所述半导体衬底。所述暴露半导体衬底的方法和失效分析方法解决了现有技术逐层剥除半导体衬底上方的半导体多晶层和氧化层会损伤半导体衬底的问题。