简介： 本发明公开了一种封装芯片失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，提供待分析封装芯片；步骤二，采用丙酮浸泡待分析封装芯片，拆除散热盖并擦除晶粒表面的散热胶；步骤三，将多块第一硅片粘接在基板临近晶粒的位置；步骤四，在晶粒顶面粘接固定盖玻片；步骤五，进行混合胶冷埋镶嵌，使得待分析封装芯片固化在透明环氧树脂内部；步骤六，研磨基板底面，使得基板减薄以接近晶粒，并将第二硅片粘接在基板底面；步骤七，沿晶粒侧面研磨第一硅片至待观察的芯片位置，得到封装芯片失效分析样品。其能够避免截面研磨过程中因外部应力的引入导致的芯片结构破坏，提高制样成功率并保持晶粒的原有状态，保障了后续截面形貌观察的效果。