简介： 本发明一种通孔链结构的失效分析方法，包括：提供待分析样品，所述待分析样品中具有通孔链结构，所述通孔链包括半导体衬底、金属线和位于半导体衬底与金属线之间的接触电极，所述半导体衬底与接触电极之间电连接良好；对所述样品进行切割，使得切割后的样品的一个侧面与通孔链接的一侧的距离为1-10微米；对切割后的样品进行平面研磨至露出金属线的表面；在样品表面沉积金属层，所述金属层覆盖金属线的表面；将金属层接地；将样品放入聚焦电子束，利用沿平行于半导体衬底的厚度的方向对样品进行垂直切割，将位于接触电极下方的半导体衬底去除，露出接触电极的底部；从接触电极的底部对接触电极和金属线进行电压衬度失效定位分析。