简介： 本发明涉及一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法，包括下列步骤：在集成电路芯片样品上涂抹封装胶，使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位；对涂好封装胶的样品进行加热固化；将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固，避免其在抛光过程中受力变形，从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备，制备条件很容易被满足。