简介： 本申请公开了一种芯片的失效分析方法，该失效分析方法包括：定位芯片中产生漏电流的硅通孔结构；沿垂直芯片表面的方向研磨芯片至接近硅通孔结构，标记为与芯片的上表面垂直的横截面；在横截面上依次间隔设定标记点；在硅通孔结构和芯片中的衬底之间施加测试电压，获取硅通孔结构产生漏电流的位置，将其在横截面上对应的位置标为热点；将与热点相邻的两个标记点记为第一标记点和第二标记点，通过热点与第一标记点和第二标记点之间的深度关系定位漏电流的深度。该方法能够准确地获取芯片中漏电流的深度位置，进而有效地指导接下来的物理失效分析方法和工艺改进。同时，该方法所用的机台均为已有的传统机台，不需额外增加机台预算。