简介： 本发明提供一种用于失效分析的方法。所述方法包括：在待测芯片的特定位置引入失效；测试出失效位置的电性地址；以及基于所述特定位置和所述电性地址确定电性失效地址与物理失效地址之间的转换关系。本发明所提供的用于失效分析的方法可以有效确认电性失效地址与物理失效地址之间的对应关系，从而可以基于测试到的电性失效地址精确计算出芯片上实际失效的物理单元的地址，为下一阶段的物理失效分析提供良好基础。