简介： 本发明提供一种逻辑芯片漏电失效分析方法，属于半导体制造技术领域，逻辑芯片漏电失效分析方法包括：提供一设置有至少两个栅极结构的晶体管结构的测量样品，所述测量样品中的晶体管结构存在亮电压对比缺陷；通过给一部分的所述栅极结构施加工作电压，并给剩余部分的所述栅极结构提供0电压，以对所述测量样品进行纳米探针电性测试，从而定位出所述晶体管结构具体的漏电失效位置，实现了逻辑芯片漏电失效分析时的精确定位，其有利于找到引起漏电失效问题的真因，从而有利于在制程优化时得到有效的优化方法。