简介： 本发明公开了一种应用于NVM芯片的失效位图分析方法，该方法从芯片外部由具有位图分析功能的测试仪输入HV信号，测试芯片的擦除、编程、读取功能，用位图分析方法进行分析，存储单元阵列中，缺陷附近的行或列在位图中表现为读取错误，远离缺陷的行或列在位图中表现为读取正确，根据位图反映的缺陷特征信息分析失效机理和定位失效位置。本发明通过改进常规的失效位图分析方法，将HV信号由芯片内部Pump电路模块产生改为由芯片外部测试仪输入，从而在NVM存储阵列全部存储单元Read失效的情况下，得到了失效芯片的具有缺陷特征的位图信息，不仅突破了常规位图分析方法的限制，而且大大提高了位图分析定位的有效性和适用范围。