简介： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性失效分析方法，利用存储单元的电流拼图进行一种直观性，准确性和高效性的电性分析测试，电流高低不同的存储单元会以深浅不一的颜色显示出来，而不是像比特拼图只能表示存储单元是处于‘0’还是‘1’状态，可以清楚地知道失效地址是硬失效还是边缘失效，因此发现一些比特拼图不能发现电性失效图案对应的物理位置，给后续物理失效分析指明确切的分析方向，从而提高分析效率和失效案例的命中率。