简介： 本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构、介质层、互连金属层和钝化层，且衬底内形成有阱区、源漏极；去除钝化层、互连金属层、介质层以及栅极结构以将源漏极的上表面予以暴露；继续将源漏极上表面暴露的待测半导体结构放入氢氟酸混合溶液中浸泡以对该待测半导体结构进行染色操作；观察进行染色操作后的待测半导体结构以对该待测半导体结构进行失效分析；通过该方法不需要对每一个晶体管进行电特性分析的精确定位，而只需要定位出一个小于10um×10um的区域，即可快速确认芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，从而降低了失效分析的难度以及失效分析的成本。