简介： 本发明关于一种半导体器件的失效分析方法，其包括步骤：去除半导体器件背面的铜层；对半导体器件背面的硅层进行减薄；及使用微光显微镜(Emission？Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位，节约了时间，提高了效率及成功率。