简介： 一种在半导体器件中进行失效分析的方法,包括:提供待测的半导体器件,所述半导体器件包括晶片和封装覆层;在封装覆层的一侧形成暴露晶片正面的开口;在暴露的晶片正面进行失效分析;填充所述开口;在封装覆层的另一侧进行研磨直至暴露晶片背面;在暴露的晶片背面进行失效分析。与现有技术相比,本发明采用先在晶片正面开口,后在晶片背面研磨的方法,实现在晶片的正背面分别进行一次失效分析,提高了失效分析的准确性,增强了失效分析的效果,改善了晶片的利用率。