简介： 本发明实施例提供了一种陶瓷电容失效的分析方法，属于电子设备中陶瓷电容领域，以能够准确分析出陶瓷电容的内部缺陷，提高分析成功率。所述陶瓷电容失效的分析方法，包括：对待分析的陶瓷电容进行阻值测试，将测得的阻值记为初始阻值，并根据所述初始阻值判断所述待分析的陶瓷电容的失效状态；将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品，研磨，在研磨过程中对阻值进行实时测试，并将测得的阻值记为测试值；当所述测试值的变化量超过所述初始阻值的10%时，停止研磨，定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位；对所述缺陷部位进行综合分析，确定所述待分析的陶瓷电容的失效原因。本发明可用于陶瓷电容失效的分析中。