简介： 本发明涉及集成电路的失效分析技术领域，且公开了一种三维存储器失效分析样品制备方法，包括以下步骤：步骤一、对封装进行电测试，根据电测试结果确认失效位置，并记录下失效的log，使用封装开封技术去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本发明利用实时图像采集及拼接技术，将真实芯片与设计图纸进行比对，并进行位置修正，确定失效精确位置后，缩小目标区域，通过阶梯开口方式，精确掌握垂直层数，最终实现快速定位及分析，通过对实际芯片的位置修正和定位，能够更准确及快速的实现失效位置确定，大大缩减了误判的发生率，并且由于定位准确，失效目标区域可以尽可能缩小，提高了分析操作效率。