简介： 一种在集成电路芯片失效分析过程中去除层次的方法，用于暴露具有多层结构的集成电路芯片的至少一预设目标层，其中，目标层中包含需检测的目标样品，其包括如下步骤：采用截面研磨的方式，选取集成电路芯片的一个截面作为被研磨截面，将被研磨截面研磨至最终停止截面；将被研磨出截面的芯片样品，放入聚焦离子束装置的工艺腔中，并将研磨出的截面与聚焦离子束发射方向相对设置，以使预设的目标层与聚焦离子束发射方向相平行；使用聚焦离子束，从集成电路芯片的表面层开始去除预设目标层之上的各层次；通过对聚焦离子束中的电子束的检测，选择停留在预设目标层表面。因此，本发明获得很好的层次去除效果。