简介： 本发明公开了一种晶圆失效的分析方法及系统，所述晶圆失效的分析方法包括：分析芯片良率数据，获取所述晶圆的失效区域；分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的晶圆区域良率；实现所述芯片良率数据、所述线上测试数据和所述电性测试数据坐标的统一；在坐标统一的情况下获得选定区域中每个失效区块的权重；根据所述权重获取每个所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值；将所述区域测量值与所述晶圆区域良率做相关性分析，获取所述晶圆的所述失效区块的影响因素。通过本发明提供的一种晶圆失效的分析方法及系统，可提高分析结果的准确性。