集成电路的背面光学失效定位样品制备方法及分析方法
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集成电路的背面光学失效定位样品制备方法及分析方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了一种集成电路的背面光学失效定位样品制备方法,包括:步骤1、对样品进行开、短路测试,使用测试仪ATE机台施加一个电流,来判断电压是否在正常的范围,确定开短路测试电压是在正常的范围后进行下一步分析;步骤2、使用手动研磨机台对失效样品的背面塑封材料进行研磨;步骤3、开封后使用超声波清洗器对器件进行清洗,将残留在芯片背面的残渣去掉,并选用常温恒温,进行8~15分钟超声清洗,得到干净的样品并自然干燥;步骤4、再次使用ATE(自动测试仪)测量样品的电学特性参数,确认样品的特性与制样前完全一致。本发明能大大提高无损开封的成功率及失效分析的速度。本发明还涉及该样品的失效分析方法。
本发明公开了一种集成电路的背面光学失效定位样品制备方法,包括:步骤1、对样品进行开、短路测试,使用测试仪ATE机台施加一个电流,来判断电压是否在正常的范围,确定开短路测试电压是在正常的范围后进行下一步分析;步骤2、使用手动研磨机台对失效样品的背面塑封材料进行研磨;步骤3、开封后使用超声波清洗器对器件进行清洗,将残留在芯片背面的残渣去掉,并选用常温恒温,进行8~15分钟超声清洗,得到干净的样品并自然干燥;步骤4、再次使用ATE(自动测试仪)测量样品的电学特性参数,确认样品的特性与制样前完全一致。本发明能大大提高无损开封的成功率及失效分析的速度。本发明还涉及该样品的失效分析方法。
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标签:失效分析
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