简介： 一种针对包含多个晶粒的半导体晶片或封装品的缺陷检测方法,这种方法包括对半导体晶片或封装品进行电性失效分析;确认该多个晶粒的至少一个晶粒中的缺陷;在该至少一个缺陷晶粒中确认要进行分析的目标层;以聚焦离子束设备移除已确认的缺陷晶粒的至少一上方层;以及曝露出将供物性缺陷分析的整个目标层。