芯片钠离子沾污失效分析实现方法
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芯片钠离子沾污失效分析实现方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法,包括次级离子质谱仪,其特征在于,按如下步骤进行:a.Decap机将成品芯片的封装去掉,露出芯片表面;b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱;c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图;d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。本发明利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况,可有效了解芯片具体情况,防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。
本发明涉及一种芯片钠离子沾污失效分析实现方法,包括次级离子质谱仪,其特征在于,按如下步骤进行:a.Decap机将成品芯片的封装去掉,露出芯片表面;b.用次级离子质谱仪做出芯片表面的离子图谱;c.用次级离子质谱仪做出芯片表面的钠离子分布图;d.结合离子图谱和钠离子分布图对钠离的沾污层度进行分析。本发明利用次级离子质谱仪检测分析芯片钠离子沾污情况,可有效了解芯片具体情况,防止由于钠离子沾污造成芯片时效的事故发生。
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标签:失效分析
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